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从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步（一）

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摘要对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断性能在进步；不同壳温下的额定电流差距在缩小；集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高；栅一源极阈值电压的离散性在缩小，栅一源极闽值电压在提高，提高了抗电磁干扰能力；开关性能在提高；栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。

DOI 34g8x9koj9/1277007

作者陈永真;陈之勃

机构地区不详

出处《电源技术应用》 2013年10期

关键词 GBT 极限参数集电极一发射极饱和电压阈值电压

分类 [电气工程][电力电子与电力传动]

出版日期 2013年10月20日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）