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功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET

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摘要 MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

DOI 3j73v6kq41/1575729

作者 James Victory;Richard Chung

机构地区不详

出处《中国集成电路》 2015年12期

关键词 N沟道MOSFET P沟道应用功率开关电源晶体管

分类 [电子电信][微电子学与固体电子学]

出版日期 2015年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国集成电路

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N沟道MOSFET P沟道应用功率开关电源晶体管

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