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宽禁带半导体器件研究现状与展望

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摘要电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限，很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能，成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨，并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。

DOI odwv72gvjk/1600132

作者朱梓悦;秦海鸿;董耀文;严仰光;徐华娟

机构地区不详

出处《电气工程学报》 2016年1期

关键词宽禁带半导体器件碳化硅氮化镓

分类 [电气工程][电力电子与电力传动]

出版日期 2016年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）