Band Edge Emission Improvement by Energy Transfer in Hybrid Ⅲ-Nitride/Organic Semiconductor Nanostructure

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摘要 轧了nanorods用诱导地联合的血浆与Ninano岛面具蚀刻被制作。poly[2-methoxy-5-(2乙醇)hexoxy-1,4-phenylenevinylene](MEH-PPV)/GaN-nanorod混血儿结构被扔MEH-PPV电影在上制作由使用纺纱涂层过程轧了nanorods。在混合结构,空间分离被最小化完成高效率的非放射的反响的精力转移。由MEH-PPV/GaN-nanorod混合结构组成的一台新奇设备的光性质被分析光致发光(PL)学习系列。与相比纯轧了nanorods,乐队边排放的PL紧张在MEH-PPV/GaN-nanorods轧了像黄乐队的三次,和紧张稍微被压制一样,被提高。获得的结果被精力转移在之间分析轧了nanorods和MEH-PPV。一个精力转移模型被建议解释现象。
机构地区 不详
出版日期 2016年10月20日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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