首页 > 《光子技术》 > 2006年4期 > 有机场效应晶体管的数值研究

有机场效应晶体管的数值研究

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

DOI n49exrwzdy/495383

作者张旭;张旭辉;张福甲

机构地区不详

出处《光子技术》 2006年4期

关键词有机场效应晶体管模型数值方法优化

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2006年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1何国雄. 场效应晶体管揭秘.电力电子与电力传动,2005-05.
2周志敏. 功率场效应晶体管MOSFET（四）.电力电子与电力传动,2005-07.
3吴云根,刘云圻,魏大程. 基于石墨烯场效应晶体管的病毒核酸检测技术.医药卫生,2022-12.
4魏贇 ,杨明越 ,廖承龙. 2N7002型硅场效应晶体管失效分析.,2022-07.
5曹轩铭,王莉 . 一种高集成双向隧穿场效应晶体管.,2022-11.
6李家旺. 巧识晶体管、场效应管电路符号的意义.教育学,2005-03.
7唐伟;冯林润;赵家庆;蒋琛;崔晴宇;郭小军. 喷墨打印银电极用于有机晶体管器件与电路.微电子学与固体电子学,2013-12.
8. 晶体管放大器.通信与信息系统,2003-11.
9许洪华;徐征;黄金昭;袁广才;孙小斌;陈跃宁. 薄膜晶体管研究进展.物理电子学,2006-03.
10曾耀正. 改变世界的发明——晶体管.教育学,2010-02.

来源期刊

光子技术

2006年4期

有机场效应晶体管的数值研究

来源期刊

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

有机场效应晶体管的数值研究

来源期刊

相关推荐

同分类资源 更多

相关关键词

同分类资源更多