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Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围

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摘要 VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。

DOI 7j6gxew0d0/1233018

作者

机构地区不详

出处《中国集成电路》 2013年5期

关键词电压范围 SO-8封装栅极电荷导通电阻 N沟道增强型

分类 [电子电信][微电子学与固体电子学]

出版日期 2013年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国集成电路

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电压范围 SO-8封装栅极电荷导通电阻 N沟道增强型

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