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金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件
金刚石微波器件可能超过GaN、SiC器件
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摘要
<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占
DOI
5jo6gorkjv/1563836
作者
陈裕权
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2005年4期
关键词
GAN
SIC器件
微波器件
德国乌尔姆大学
化学汽相淀积
MESFET
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2005年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2005年4期
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