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晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

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摘要通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

DOI kd2zgqeed6/1779138

作者邱静君

机构地区不详

出处《电子与封装》 2017年10期

关键词功放电路静态电流电源电压基区结深厄利电压

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2017年10月20日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）