首页 > 《北京同步辐射装置年报》 > 2002年1期 > 合成金刚石单晶层错形成机理探讨

合成金刚石单晶层错形成机理探讨

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个层错和一个由两个层错三角形组成的层错四面体。计算了层错及层错四面体各个边界的方向指数，确定了各个层错的面指数。根据层错的消像规律．确定了各个层错的位移矢量。除一个层错为Frank型简单层错外。其余层错皆为既具有Frank位移，又具有Shockley位移的复合型层错。分析了层错的形成机理。层错尺寸火小在0．68-1．15mm之间，是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。

DOI wjvwe37nd7/2124474

作者于万里;田玉莲

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 2002年1期

关键词合成金刚石晶体层错同步辐射方向指数位移面状缺陷

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2002年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）