首页 > 《电力电子》 > 2003年6期 > 中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

DOI 9ojnn6oljr/318337

作者王正元

机构地区不详

出处《电力电子》 2003年6期

关键词中子嬗变掺杂硅无条纹硅电力半导体器件高电压大电流

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2003年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1钱东东. 校企协作是中职发展的突破口.职业技术教育学,2001-06.
2吕贵喜. 开发果酒是我国水果业发展的突破口.国民经济,2001-03.
3张智勇. 城乡统筹发展的突破口.世界经济,2007-07.
4李国保. 产权创新是县域工业化的突破口.政治经济学,2002-04.
5傅志群. 加速媒体融合直播是突破口.电影电视艺术,2017-04.
6牛正乾. 全民医保是医改的突破口.卫生事业管理,2009-09.
7史蒂夫·斯特里德. 弱点=突破口.教育学,2010-01.
8王知一. 资产管理——行业发展突破口.城市规划与设计,2010-09.
9汪海. 选好信息化的突破口.世界经济,2006-05.
10韩尚柱;王剑永;兰松. 水价是水利走向市场的突破口.水利水电工程,1997-05.

来源期刊

电力电子

电力电子

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

中子嬗变掺杂硅无条纹硅电力半导体器件高电压大电流

返回顶部