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辅助镀膜离子源及立方氮化硼薄膜的制备研究

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摘要为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.

DOI y2d3ok3ld9/39367

作者蔡志海;谭俊;唐云;张平

机构地区不详

出处《装甲兵工程学院学报》 2003年1期

关键词离子源离子束辅助沉积立方氮化硼薄膜

分类 [军事][军事理论]

出版日期 2003年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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装甲兵工程学院学报

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