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亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究

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摘要介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论，反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加，阈值电压的波动达到约10％。

DOI 2d31l5k849/441719

作者贺永宁;李宗林;朱长纯

机构地区不详

出处《纳米科技》 2006年3期

关键词亚100nm CMOS 沟道反型层量子化栅氧厚度阈值电压

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2006年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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