首页 > 《科学与技术》 > 2021年24期 > 浅析第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展

浅析第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要摘要：第三代半导体设备技术，是半导体发展历程中的重要技术，也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料，对其晶体生长方式进行分析，探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况，为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术，意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用，提升半导体材料的商业价值。

DOI 5jog2213dv/5654736

作者郑建生

机构地区露笑新能源技术有限公司 311800

出处《科学与技术》 2021年24期

关键词第三代半导体材料 SiC晶生长设备技术

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2021年11月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）