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硅纳米线提升了数据存贮技术

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摘要美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

DOI 54k20k134k/576057

作者杨英惠

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2008年2期

关键词数据存贮技术硅纳米线元件可靠性混合结构标准工艺研究人员

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2008年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）