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锗晶片化学机械抛光的条件分析

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摘要在不同条件下（不同助剂比例和不同研磨液浓度），通过对锗化学机械抛光速率变化的研究，探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程，分析了助剂比例对抛光速率的影响。

DOI 2d31rxzg49/576219

作者刘春香;杨洪星;吕菲;赵权

机构地区不详

出处《中国电子科学研究院学报》 2008年1期

关键词抛光锗晶片机理分析

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国电子科学研究院学报

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