首页 > 《广西物理》 > 1999年1期 > 功率晶体管二次击穿机理研究

功率晶体管二次击穿机理研究

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。

DOI rj8yon7740/710082

作者农亮勤;韦绍波;黄开连

机构地区不详

出处《广西物理》 1999年1期

关键词二次击穿雪崩击穿空间电荷区本征激发

分类 [理学][物理]

出版日期 1999年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1钟朝晖. RF和微波晶体管功率增益测量.物理电子学,2001-03.
2胡丹,杜安波,杨诚. 大功率晶体管热学设计探讨.,2022-06.
3黄萃华. 探析双极晶体管电磁脉冲损伤机理.建筑设计及理论,2015-12.
4王小萍;李雪;张利敏;秦皓. 微波晶体管满功率老炼技术研究.物理电子学,2016-10.
5郑冬冬. ST推出MDmesh V功率的MOSFET晶体管.物理电子学,2012-01.
6周志敏. 功率场效应晶体管MOSFET（四）.电力电子与电力传动,2005-07.
7孙再吉. 230W大功率GaN高频晶体管.物理电子学,2005-06.
8陈裕权. NPN共基极C类脉冲功率晶体管.物理电子学,2005-04.
9许允亮, 李卫红 ,李家贵. PNP低频大功率晶体管小的漏电流研究.,2023-07.
10刘武平;周星;韩鹏宇;邓小川. 单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验.物理电子学,2014-02.

来源期刊

广西物理

广西物理

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

二次击穿雪崩击穿空间电荷区本征激发

返回顶部