首页 > 《中国科技人才》 > 2023年10期 > 非易失性存储芯片（NAND）测试的研究进展

非易失性存储芯片（NAND）测试的研究进展

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要摘要：本文通过对非易失性存储芯片测试的国内外研究成果进行学习归纳，探索当前国内外学者关于非易失性存储芯片测试的前沿技术和成果，从而为优化该芯片数据存纳、读取技术的优化升级提供理论支持。研究认为：当前非易失性存储芯片将取代传统芯片得到广泛应用，而关于非易失性存储芯片的测试研究还相对薄弱，希望本文能为该领域研究成果进行积极补充。

DOI rdxnrrrkjl/7558725

作者黄辉

机构地区深圳市芯片测试技术有限公司广东深圳 518110

出处《中国科技人才》 2023年10期

关键词非易失性存储芯片测试

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2023年09月08日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）