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离子注入：适用于32nm和22nm器件的新工具

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摘要集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

DOI wjvkeg0nd7/800274

作者邓志杰（摘译）

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2009年10期

关键词离子注入技术 CMOS工艺大规模集成电路工具器件集成电路工业

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年10月20日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）