简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：传统的电容器组补偿由于响应时间慢,不能动态跟踪电网进行补偿等缺点,已经无法适应未来智能电网的发展方向,本文把SVG和电容器组进行对比,阐述了SVG的原理、技术优势和电容器组的缺点。以SVG为代表的新型无功补偿设备技术先进可靠,有广泛的应用市场前景。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：对两种带有CAN控制器的微控制器的体系结构、内部特点、内置的CAN控制器、以及应用领域等进行了比较．详细介绍了它们在内置CAN控制器方面的区别。提供了在不同应用领域选择不同微控制器的新思路。

简介：分段长定子永磁直线电动机能够形成车道，是工业上物流系统中的一种有效方法。有种电机在控制上存在一些缺点，如存在齿槽力、过渡区存在力削弱以及饱和现象。本文利用有限元法得到的三维表并将其作为前馈量的方法来比较磁场定向控制和间接定子磁通控制，相应实验结果在文中给出。

简介：在德国，第一台大型的变速风电机组（3MW，风轮直径达100m）诞生于1980年，但是由于机械问题，该项目并不是很成功。那时候，电力电子器件的成本相当的高，因此，风电机组就经常采用具有很小滑环的双馈异步发电机来节省电力电子器件的成本。

简介：本文介绍了采用Soft-Skip开关模式以降低电源待机功耗的原理。这种待机状态下的开关模式可以有效降低因开关频率过低产生的音频噪声，并且可以对进入Soft-Skip模式的电平进行调整以适应不同的负载需求。最后，试制了一台输出为12V／5A的反激电源对这种待机模式进行验证。

简介：专用的视频编码芯片即D／A转换芯片一般都工作频率比较高，输出模式可选择，因此需要有专门的控制器来控制其工作。该控制器以RDSP（DigitalSignalProcessing）芯片DM642来实现，能实时将DSP图像融合处理后的视频信号以RGB三基色方式、S-VIDEO方式或VGA方式输出。整个系统电路简单、可靠性高、功能集成度高具编程方便。

简介：本文介绍高压SPT、（软穿通）-IGBT器件的开关自箝位模式，并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

简介：据悉，日立公司最近为其L300P系列变频器推出了一款IPU—PSM功能扩展卡，该产品可在L300P系列内建标准PID控制的基础上添加PSM水泵睡眠模式。

简介：日本经济财政大臣与谢野馨在22日的内阁会议上提出了2011年度的经济财政报告（经济财政白皮书），并就此次东日本大地震对日本经济的影响做了分析。受地震影响，供应链（配件供应网）断裂和电力不足等情况使受灾地区以外的城市在经济上也遭到了比以往任何一次灾害都要严重的打击。要打造“强有力应对危机的经济模式”，

简介：本篇文章介绍了适合瞬态模式的PFC预调节新控制IC。在一个标准的TMPFC控制器的核心基础上，它提供了一个附加的功能，帮助实现无源器件所需要的补助功能，否则它将需要相当复杂的外部电路。这篇文章很详细得描述了这些功能，并提供了一系列的例子让大家更好得享受这个新IC带来的简化以及低廉的成本。

简介：PWMDC／DC转换器的设计中，为了防止出现次谐波振荡，需要引入斜坡补偿电路，而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制，从而可以提高系统稳定性，使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明．这种方法能实现电压信号准确地相加。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。