简介：

简介：这是一篇环保论文。叙述印制板行业目前执行的水污染物排放的国家和地方标准，污水处理中铜为达到国家二级标准（1．0mg／L）和一级标准（0．5mg／L）的困扰。叙述铜对人体和动植物的毒害情况。世界各国污水排放铜的标准。提出了改变这种状况的建议。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点，IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前，需要精确的器件模型及模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例，给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上，文中还提出了模型参数有效性验证的方法，最后给出了有效性验证结果。

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：世界领先的电流与电压测量元器件制造商莱姆（LEM）日前宣布引进基于PerfectLoop技术（专利申请中）的首台交流电流传感器系列部件。在标定之后，新型RT系列能够实现优于0．65％的绝对精度，其中包括位置误差，这样使得RT成为适合一级电力设备中所使用的首台开口型柔性Rogowski线圈。

简介：1．概述清洁生产是实施节能降耗、可持续发展战略的重要部分，是实现经济和环境协调发展的一项重要措施。

简介：记者从有关方面了解到、由信息产业部与发改委、商务部、海关总著、工商总局、质检总局、环保总局共同起草的《电子信息产品污染控制管理办法》在2005年底向WTO／TBT通报工作完成后，近期有望作为法规正式出台，该标准也被称为电子产品的环保“绿卡”。

简介：近日，全球能效管理专家施耐德电气与中北大学共同建立的“中北大学施耐德电气联合实验室”正式揭牌，双方将展开以实验窀为平台的人才联合培养计划，建立长期互惠的合作伙伴关系，

简介：《电子信息产品污染控制管理办法》（以下简称《管理办法》）的正式颁布将会促使我国的电子信息产业紧跟当前世界范围内的一场基于资源节约和环境保护的技术革命，促进产业结构的调整和产品升级换代，提升我国电子信息产业整体的国际竞争力。但在短期内．《管理办法》的实施会给企业带来成本的增加。企业要想顺利地满足《管理办法》提出的具体要求，必须建立起一个低成本，可管理的绿色产品应对体系。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心，为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算，并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计：该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

简介：1．范围本标准规定了电子信息产品中有毒有害物质或元素的名称和含量、环保使用期限、可否回收利用及包装物材料名称的标识要求。

简介：为了提高产品热处理炉的炉温均匀性和稳定性控制性能,通常要按照炉温均匀性的检测方法与标准对热处理炉的炉温均匀程度进行测定和记录。为此,文中给出了以DSP为基础,并通过具有时间标签的温度监控记录仪来对炉温进行测量与记录的实现方法。通过该方法还可将具体的检测数据记录在FLASH闪存中以备后用。

简介：FPGA既具有门阵列的高逻辑密度和高可靠性，又具有可编程逻辑器件的用户可编程性，可以减少系统的设计和维护风险，降低产品成本，缩短设计周期。文中给出了利用FPGA设计汉明距离的计算电路，同时给出与通过有效的芯片资源配置，恰当地选择存储器的总容量与加法器总数，来使整个系统的资源利用率达到最佳的实现方法。

简介：本文试析采用SMT的产品拓产的四种途径。

简介：本文阐述了BGA、CSP等隐藏在封装器件下面的焊点的检测设备和检测方法。

简介：为了设计基于Si8250的数字电源补偿器，本文采用该芯片专有的GUI图形仿真软件，对功率级主电路的开环模型进行了仿真，生成了幅频和相频特性曲线。结合Venable补偿理论与GUI中的控制环路模型及图形化补偿方式，设计了精确的数字PID补偿器。试验表明，通过GUI设计的数字补偿器具有很好的环路动态特性和稳定性。

简介：本文介绍了一种基于FPGA的双输入单输出模糊控制器的简化设计，并根据控制器的要求利用超高速集成电路硬件描述语言VIID（VeryHighSpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage）设计了加法器、减法器等运算器。整个设计过程采用自定向下的设计方法，并在MAXPLUSⅡ10．2环境下通过编译和仿真。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。