简介：具有介电、铁电、压电等特性的铁电薄膜在动态随机存储器、移相器等功能器件上拥有广泛的应用前景，但其疲劳现象已成为应用的严重障碍，在衬底与铁电薄膜之间添加氧化物过渡层可以改善这种现象。综述了普通氧化物、钙钛矿型氧化物、超导氧化物等作为过渡层材料对铁电薄膜结构与性能的影响。

简介：通过反相微乳液法制备钡铁氧体（BaFe12O19），研究了反相微乳液法油水比例对BaFe12O19磁学性能的影响，分析了烧结温度对晶相以及晶体形貌的影响，得到了最佳的实验工艺参数，当油相和水相的体积比为6：1时，通过透射电镜观察发现：80℃热处理得到的样品的前驱体颗粒尺寸约40nm；在800℃烧成后得到片状、直径约50～80hm的钡铁氧体，并测得其饱和磁化强度为47．41emu／g，剩余磁化强度为29．01emu／g，矫顽力为22090e，磁滞回线面积为1120708；在900℃热处理还出现了新相BaO2。

简介：详细总结了采用溶胶-凝胶法、沉淀法、水（溶剂）热法等液相合成法制备纳米SnO2的研究成果和进展，展望了制备氧化锡纳米材料及其作为气敏材料的应用前景。

简介：文章主要介绍了气相法制备纳米材料的原理,以及气相法纳米合成装置的设计与组装。在气相法制备纳米材料原理基础上,以反应原理简单、可调可控为原则,设计组装了气相纳米合成装置,并研究了其工艺。

简介：用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层，探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响，结果表明，快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好，而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失，造成TiO杂相的出现，从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。

简介：美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术，可用于制造一种新型玻璃，其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下，一块玻璃突然冷却，其中分子无法自由运动，从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

简介：据报道，科学家在太平洋海底发现了大量的稀土资源，这种对大量关键科技领域都至关重要的金属矿产就蕴藏在5000m下的海底淤泥中。日本地质学家对2000多份沉积物钻取样本进行分析研究后，

简介：以硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,采用微波辅助液相还原法制备了超细铜粉,研究了微波的引入对超细粉体制备的影响,通过XRD、激光粒度分析和TEM表征了粉体的结晶性能、粒度度以及粉体的形貌,研究表明,微波的引入可以明显加速晶化反应的进行,在较短时间内制得的铜纳米晶发育好于传统热处理方式制得的铜纳米晶。

简介：采用γ射线还原法可以在非水体系中同步合成出复相的纳米无机粉体，对此种方法做了详细介绍．并且对于获得的复相无机纳米晶粉体进行了XRD的表征分析，证实了在还原体系中采用此法得到的粉体粒径尺度在纳米量级。

简介：阐述了气相合成反应的基本原理，对各种制备方法的特点进行了概述，根据前驱物的不同状态（固、液、气）对制备方法进行了分类，气相法制备的纳米粉体材料具有粒径小、不团聚、无需后续处理的优点，已成为目前纳米制备技术研究的重点。随着新技术、新材料的不断涌现，其工业化技术将具有非常广阔的市场前景。

简介：美国南卡罗莱纳州克莱姆森大学的OliverMyers副教授收到了美国陆军研究实验室993492美元的赞助,用于开发可探测零件损坏并向中控电脑报告的军用载具智能材料。Myers将领导这一项目开发一种磁致伸缩复合材料薄片,可以使载具零件按需更换而不是定期更换来延长其服役时间。

简介：美国陆军太空与导弹防御指挥部（USASMDC）/美国陆军战略司令部（ARSTRAT）向安德鲁斯航天公司授出了一个开发纳米卫星的合同,以求该卫星能够为美国作战人员提供实时的战术图像。

简介：Al-Cu-Mg系铝合金具有较高的强度和良好的耐热性能，被广泛用于航空航天材料。微量Ag、Li的添加及复合添加能够改善Al-Cu-Mg系合金的性能，而析出相对合金的性能起决定作用。介绍了微量Ag、Li的添加及复合添加对Al-Cu-Mg合金析出相的影响，重点分析了不同析出相的结构特征、形成条件以及析出序列，并提出了存在的问题及应用前景。

简介：据媒体报道，一种高性能纳米复相陶瓷最近在上海硅酸盐研究所研制成功。这种新型陶瓷的强度，韧性以及电阻率等性能均达到国际水准。由于它是几种陶瓷复合而成，并添加了具有磁性、电性、光性能的其他材料，因而既拥有结构陶瓷的力学性能，又具备功能陶瓷的特殊功能。磁性材料的添加，大大降低了电阻

简介：随着第五代大面积薄膜电池实现量产，一个全面普及应用太阳能光伏发电的时代即将来临，太阳能发电将如同粮食、饮水一样随处可得，太阳能发电一定能成为取之不尽、用之不竭、清洁环保的替代能源。

简介：1月16日，6400t／a卡博特蓝星气相二氧化硅项目在天津临港工业区奠基。该项目总投资约4000万美元，由卡博特（中国）有限公司（占75％股份）和中国蓝星（集团）股份有限公司（占25％股份）合作建设，计划2010年投产。

简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C／C泡沫复合材料为预制体，通过液相硅浸渗（LSI）工艺制备了C／SiC复合材料，研究了预制体不同孔隙率对si浸渗及C／SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响，分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明，采用发泡技术可以快速有效地实现C／C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65．41％时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好，密度为2．64g／cm3，弯曲强度为137MPa，弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C／SiC复合材料性能不佳的主要原因。

简介：以三聚氰胺为前驱体，在氮气保护下进行高温热处理，借助X射线衍射、红外光谱、元素分析手段对产物进行表征。结果表明，在较低的400℃进行热处理时，前驱体中的N、H原子即开始选出，产物中有层状g—csN4的衍射峰出现，但是前驱体分解不完全。在500℃及高于500℃进行热处理时，可制备出纯态的g-C3N4，并且随着热处理温度的逐渐升高，所得产物的氮、碳原予比及其结构与理想层状石墨相g-C3N4差异逐渐减小。