简介:这里设计了一种基于采用串并联处理观点的新型UPS(不间断电源)。不像传统的串并联电路,传统的电路中变压器调节源电压;而这种新的方法允许不使用串联变压器而对电源电压调节。它还高效,不仅体积和重量小,并且转换效率也改进了。我们命名它双重转换方法,而且我们现在正在向把它应用于IA服务器系统的发展方向工作。测试模型的下列性能并不次于全时逆变器UPS,包含以下指标:电源电压范围;±25%或者±20%,电源中断转换时间;0ms,输出电压精度;±3%,此外,转换效率95%,比全时逆变器UPS高5%,完成了700VA/350W单机型。设备的损失很小。因为绝缘的串联变压器没有使用工频,处于工业世界一流的1U和2U的高度只有了19英寸,容量分别为1400VA和3000VA。
简介:瑞萨科技公司近日推出适用于工业产品和办公自动化产品的H8SX/1582F型单片微控制器。与H8SCPU芯核相比,H8SX32位CPU芯核增加了寻址方式和新的指令,而且ROM存储器代码的效率提高了将近20%。H8SX/1582F采用5V单
简介:ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
简介:本文介绍大电流交流变直流的变换器(整流器)中保护功率半导体器件的5#快速熔断器。描述了某些典型的大型整流器的应用。论及多数在用的整流器类别。解释了有关熔断对整流器和功率半导体器件实现短路保护的原理。在大型整流器今天的输出额定值基础上,探讨了未来的某些趋势,讨论了同熔断器有关联的相应结果。解释了对大规格的5#熔断器进行测试的条件同该熔断器自身的负载能力及分断能力的关系,进而说明该熔断器同功率半导体器件的协同测试应该如何进行。本文还示出了新开发的5#熔断器的额定值。最后还讨论了5#熔断器如何能使大型整流器取得更高的负载能力,以及怎样通过采用较少数量的并联元件使系统的效率和成本优化。
简介:电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。