简介：<正>在日前举行的"通用平台技术论坛"(CommonPlatformTechnologyForum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(SamsungElectronics)和GlobalFoundries共同探讨超越FinFET技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳纳米管和硅光等下一代技术的最

简介：集成电路制造要经过成百上千个步骤，如果有一个步骤出现问题就会导致产品报废。所以在制造过程中及时发现问题，并给出有效的纠正预防措施就显得非常重要。介绍了在集成电路制造中使用统计过程控制SPC的方法，建立有效的控制规范和合理的监控频率，以便及时发现制程中存在的问题，及早制定出纠正预防措施，减少异常面的扩大。通过案例分析，详细介绍了统计过程控制SPC在集成电路制造中的运用，通过使用统计过程控制SPC的方法逐步提升制程能力，将制程稳定在受控状态。

简介：随着经济发展和科学技术的进步,集成电路（IntegratedCircuit）产业保持着持续、快速的发展。作为集成电路产业链中的一个重要环节,集成电路测试在评价集成电路电性能、质量和可靠性等方面提供了有力的技术支撑,其中集成电路高压测试是进行电源管理、高压驱动等一系列芯片耐压单元性能检测的重要环节。主要研究集成电路成品高压测试过程中存在的一些问题以及相应的解决方案。

简介：通过分析质量成本及运行质量成本中预防成本、鉴定成本、内部损失成本、外部损失成本等所包括的具体费用,认为内部损失成本是目前最需要控制的质量成本。对目前集成电路封装工厂封装成品率、制程直通率、6sigma管理水平进行对比,目前集成电路封装工厂质量控制水平已经达到6sigma质量管理要求的5sigma水平。对返工成本进行分析,提出在集成电路封装工厂封装成品率达99.98%的水平下,运用PDCA循环改进过程、提高制程直通率,持续改进、不断提高制程能力,使制程控制水平达到6Sigma管理水平,使质量成本从目前的11%￣15%降低到5%￣10%。

简介：通孔回流技术的日渐流行主要原因是能大大节约生产成本。如果考虑到现今PCB板上不采用表面贴装技术的有线元件只占75—10％，但其费用却远远超过该比例，通孔回流技术的成本优势就愈发明显了。

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：目前，柔性线路板（FPC）的焊盘及表面阻焊膜（SolderMask）制造工艺有两种方法使用较为广泛。一种是采用聚酰亚胺薄膜（PI膜：Polyimide）为材料，在对应焊盘位置进行激光切割、使对应位置白勺铜箔漏出来后进行表面处理（SurfaceFinish）而成为焊盘：另外一种则是采用光致涂覆层（PIC：PhotolmageableCovercoat或称PSC：PhotoSensitiveCoat），

简介：<正>上海宏力半导体2日宣布其代工的O.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点,在使用较少光罩层数的同时,创造了业内OTP

简介：研究表明含氟气体的性质决定了原子氟（F）的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟（F）的转化效率也就会越高。所以C3F8（八氟丙烷）比C2F6（乙氟烷）具有更高的利用效率,更少的PFC（全氟化物）的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷（TOES）为基础的离子增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计（DesignOfExperiment,DOE）,调整腔体压力、射频（RF）功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。

简介：电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子于4月17日共同宣布，即日起将提供已通过晶圆专工验证的Laker^TM制程设计套件（PDK）予联华电子65nm制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双方后续的合作将专注在提供一系列的Laker—UMCPDK上，使得设计团队能将不同产品以最快的时程上市。

简介：Magma公司和中芯国际公司于9月7日共同宣布推出基于中芯国际公司90nm低功耗制程的先进IC实现参考流程，该流程使用了Magma公司BlastPower^TM，BlastCreate^TM和BlastFusion^R产品；中芯国际的90纳米标准单元库和IO单元库，以及Magma的低功耗综合和多电压设计流程，可以解决电源功耗管理中的三个主要问题：动态功耗、漏电功耗和功耗分布。

简介：近日,三星电子在位于美国的2018年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为LPE和LPP两代.

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。