简介：PEDOT:PSS直接电镀工艺对传统工艺进行了改造。改造后的工艺不仅比传统工艺减少了四个环节,而且将分离的两个时空合二为一,这样就缩短处理时间,提高了生产效率,最后我们还分析了影响镀层的质量和沉积效率的因素,这些因素完全是定量可控的,它们是我们进一步优化工艺参数和提高镀层质量的理论根据。

简介：美国“直接电影”是一种具有相当影响力的纪录电影流派,作为一种创作方法,至今仍旧在影响一批又一批的纪录片人。但是,随着后现代主义思潮日益渗入纪录领域,随着数字影像技术广泛运用,随着纪录片商业化倾向越来越强,“直接电影”陷入困境之中。

简介：

简介：摘要：针对于新能源并网问题，本文研究了基于直接电流控制的并网逆变器控制策略，首先推导了逆变器在dq坐标系下的数学模型，采用电压定向的前馈解耦方法使逆变器的有功轴和无功轴可以单独控制，将无功轴控为零实现了逆电器的单位因数并网。并在MATLAB/Simuink中搭建了基于直接电流控制的逆变器仿真模型，仿真结果表明该控制策略的有效性、可行性且具有很好的实际应用价值。

简介：摘要：采用电脱氧法将固态Nb2O5在CaCl2-NaCl共晶熔体中还原为金属铌，需要Nb2O5在1123 K和1173 K的共晶熔体中进行直接电化学还原，控制电势以低于盐的分解电势，为3.1 V。分析了由干燥的高纯氩气流动所携带的阳极反应气体，确认了阴极的首选阴极反应是氧电离形成氧离子，氧离子依次溶解在氯化物熔体中，然后在石墨棒阳极放电（氯离子不太可能在阳极上放电）。所制备的金属铌粉中氧含量低至2311ppm的质量，说明电脱氧法适用于在氯化物熔体中还原固体Nb2O5。根据测定的电流-时间行为，分析Nb2O5多孔球团的还原动力学和机理，并对烧结后的Nb2O5球团进行了显微组织分析和不同还原时间下部分还原样品中存在的相进行了分析。

简介：摘要传统GSC双闭环控制中存在电压外环对dc-link电压波动抑制响应慢及电流内环对前馈补偿延时的问题。对此提出一个dc-link电容电流直接控制的GSC单闭环控制策略。控制策略中引入的前馈补偿直接施加在GSC控制电压的节点上，消除了电流内环对扰动前馈补偿的延时。同时，对外界扰动动态的前馈补偿采用了一个“跟踪-微分器”技术。在Matlab/Simulink仿真平台中构建了GSC控制策略的研究模型，研究了两种典型情况下GSC控制策略对dc-link电压波动抑制的效果。结果表明所提出的GSC控制策略能有效抑制dc-link电压的波动幅值及振荡。

简介：本文报道了在酯化催化剂（H2SO4）作用下乙醇直接电解氧化合成乙酸乙酯。研究了通电量和温度对产率的影响。初步探讨了反应机理。

简介：本文介绍了以镍钴锰三元合金代替镍钴二元合金制作电镀扩孔器的过程及工艺改进的关键点、镍钴锰三元合金镀层与镍钴二元合金镀层性能的比较及工艺改进后产品的使用效果。

简介：用琼脂糖将血红蛋白（Hb）固载于玻碳电极（GCE）表面,制成血红蛋白-琼脂糖膜修饰电极.研究发现固载于琼脂糖膜中的血红蛋白,在磷酸盐缓冲溶液和乙醇混合溶液中与电极直接传递电子,得到一对对称的Hb辅基血红素Fe（Ⅲ）/Fe（Ⅱ）电对的还原氧化峰.式电势随缓冲溶液pH值增加而负移且呈线性关系,直线斜率为-51.03mV/pH.这说明血红蛋白的电子传递过程伴随有质子的转移.

简介：近年来，电力网中电压不平衡给系统带来很多危害，无功电流的补偿已成为亟待解决的问题，传统无功补偿装置已经远不能满足要求，新型静止同步补偿器STATCOM应运而生。本文研究静止同步补偿器STATCOM的工作原理、数学模型、无功功率理论和直接电流控制方法，实现无功功率补偿方式。在对STATCOM模型的建立进行了深入研究的同时，采用d—q电流直接控制法对STATCOM进行了仿真分析。

简介：近年来，电力网中电压不平衡给系统带来很多危害，无功电流的补偿已成为亟待解决的问题，传统无功补偿装置已经远不能满足要求，新型静止同步补偿器STATCOM应运而生。本文研究静止同步补偿器STATCOM的工作原理、数学模型、无功功率理论和直接电流控制方法，实现无功功率补偿方式。在对STATCOM模型的建立进行了深入研究的同时，采用d-q电流直接控制法对STATCOM进行了仿真分析。

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简介：SY509-3-127[篇名]Characterizationofspontaneouslyformedcerium-basedconversioncoatingsonaluminum；SY509-3-128[篇名]Effectof2.2-dipyridineonborate-bufferedelectrolesscopperdeposition……

简介：摘要：碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性，被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性，Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求，因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体（ICP）对SiC进行刻蚀，目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响；其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中，因此镍的耐刻蚀性很重要，在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比（SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值），在同等刻蚀条件下，镍消耗少，SiC/Ni的选择比就高，则所需镍层就薄，从而减少了工艺时间，提高了工艺效率。

简介：说芯片与电镀有关,这是真的吗？是的,是真的。一直以来,由于电镀业属于有污染物排放的行业,其发展受到诸多限制,不要说发展,电镀产业的生存都是个问题。以至于有人将电镀行业归为＂夕阳工业＂,认为是要被淘汰的产业。这种误解源于缺乏对电镀技术的了解。

简介：

简介：介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺，同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。

简介：桐庐窄溪工艺电镀厂位于风光秀丽的富春江畔，地处320国道的中心地段和杭干高速的咽喉之处，水陆交通极为便利，是全县电镀行业队伍中历史悠久，规模之大，技术含量之高的一家外贸生产厂家。