简介:该文分别用直流、脉冲直流和微波等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术得到了Ti—si—N、Ti—B—N及Ti—Al—si—N纳米复合超硬薄膜,结合微观分析和宏观性能表征,给出了它们的纳米结构特征及其与力学性能的关系,基于工业运用背景,探索了纳米复合薄膜的热稳定性。
简介:摘 要: 过去的几十年,无机半导体存储、光盘存储、磁盘存储等传统的信息存储器件得到了非常广泛的应用 ,但是随着器件集成度的提高以及存储密度、容量的增加,目前的信息存储材料及技术不能满足需求。在此背景下,具有良好加工性能、机械性能且成本低廉、可多层次存储的聚合物基信息存储材料成为了新一代分子级存储材料的研究对象 [1] 。聚酰亚胺(polyimide/PI)是一种新型的高性能特种工程塑料,其极耐高低温、优良的介电性能、机械强度高、热膨胀系数低、稳定的耐化学药品性等突出优点,使它在众多的聚合物材料中脱颖而出 [2] 。本课题拟用静电纺丝技术制备 MWNTs+TiO 2 /PI 复合纤维,通过炭化处理改变 MWNTs+TiO2 /PI 的表面态,进而研究纺丝炭化对复合薄膜电学性能的影响
简介:摘要:采用化学浴沉积法在以硫酸锌(ZnSO4·7H2O)和自制的硒代硫酸钠(NaSeSO3)作为Zn2+源和Se2-源的化学溶液体系中制备了ZnSe纳米晶薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计等测试方法,研究了不同的Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶薄膜的表面形貌、晶体结构、光学透过率和禁带宽度等物理和光学特性的影响。结果表明,反应液中Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶颗粒尺寸及致密性影响较大,当nZn/nSe=1:4时制备的ZnSe薄膜有较好的致密性和均匀性。不同Zn/Se物质的量比条件下均制备出(111)取向的立方晶型ZnSe纳米晶薄膜,光学禁带宽度为3.05-3.13eV。当nZn/nSe≤1:4时制备的ZnSe薄膜在450-800 nm波段透过率达75%以上。