简介：早在电子计算机问世之前，工程师们就制造出了以杠杆和齿轮等机械装置为基础的计算机。而今天，计算机大多数都是以电子晶体管为基础的，但是晶体管有一个很难突破的障碍，就是它们没有办法承受较高的温度。于是，科学家们又开始寻求新的发展方向。

简介：研究了水热法（200℃）制备的不同浓度Mn掺杂ZnS纳米晶体发光特性。所合成样品为10～16nm的立方相纤锌矿结构，随着Mn掺杂浓度的增加，PL光谱峰值产生了红移。在摩尔比为10％Mn掺杂时PL发光最强。讨论了样品的发光机理，计算了晶体场强度，同时观察到摩尔比为10％Mn掺杂样品发出白光，说明其在白光LED及全色荧光粉中具有潜在的应用价值。

简介：近年来,纳米晶体中稀土离子发光性质的研究越来越受到人们的广泛关注,这是因为纳米稀土发光材料在发光、高清显示、光电子纳米器件、生物荧光标记、激光和闪烁体等众多领域有着重要的应用前景。本项目采用软化学合成方法如水热法、溶胶-凝胶法等,通过合成工艺的调控,设计并合成出一系列不同颗粒尺寸、分散均匀、形貌可控的稀土离子掺杂氧化物（氟化物）微/纳米晶体,利用激发、发射、漫反射以及高分辨激光光谱等光谱分析手段对其发光性质进行研究,弄清影响发光行为的本质原因。同时,结合光谱实验数据,利用密度泛函理论和复杂晶体化学键介电理论方法进行理论计算,成功解释了光谱变化规律和不同稀土离子间能量传递机理,为相关稀土光谱研究奠定了理论和实验基础。

简介：近年来，纳米尺度的压痕方法测定材料的弹性模量逐渐引起重视。通过重结晶方法制备了HMX与RDX的单晶样品。利用XRD对特定晶面族进行了鉴定，HMX晶体是在（010）面进行衍射分析，RDX是在（210）面，结果表明晶体品质相当高。而纳米试验也在上述晶面（即单晶体在溶液生长出最大显露面）进行。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：硫酸法制备纤维素纳米晶体（CNC）的水解残液中含有大量的硫酸、一些未充分水解的纤维素片段以及以单体和寡聚形式存在的糖,直接丢弃不仅会污染环境,更是对资源的一种极大浪费。通过向水解残液中加入硫酸（质量分数80%）的方法,调节水解残液中的硫酸浓度,并通过水浴加热使残液中未充分水解的物质转化为葡萄糖;然后用阴离子交换膜将水解残液中的硫酸和葡萄糖分离,再将分离后的液体用旋转蒸发仪浓缩,以提高硫酸和葡萄糖的浓度。研究结果表明,调节水解残液中硫酸质量分数为56%,在45℃水浴中反应3h,水解残液中葡萄糖含量达到最大值13.73g/L;处理后的水解残液通过2次阴离子交换膜过滤,硫酸的回收率达到90.31%,浓缩可得到10.06mol/L的浓硫酸和36g/L的葡萄糖溶液。回收得到的硫酸和副产品葡萄糖溶液可分别用于CNC的制备和用作生物发酵的碳源。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

简介：纳米晶体混悬给药系统为改善难溶性中药成分的溶解度和生物利用度提供了一种新的途径。研究具有再分散性能的固体化纳米晶体给药系统,是实现纳米晶体混悬系统稳定化的理想选择,然而,固体化再分散后是否仍呈纳米状态,能否保持良好的再分散性,仍然是亟待解决的关键科学问题。文章主要综述了纳米晶体给药系统固体化的及其再分散性能的研究进展,以期＂抛砖引玉＂,进一步促进中药纳米晶体给药系统制剂理论的完善与发展。

简介：据媒体报道，日前，中科院微电子所在基于下转换原理的高效晶体硅太阳能电池研究中取得进展。成功开发出新型半导体纳米材料，这种新型半导体材料能带宽度可根据尺寸、材料组份等进行灵活调节。将该下转换材料与大规模量产型125mm×125mm晶体硅衬底结合，研制出下转换高效晶体硅电池。

简介：

简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：一、材料与方法1．抗菌材料及菌株：纳米晶体银离子敷料（商品名：爱银康、Acticoat）为英国施乐辉有限公司产品，批号66000791。实验用菌株由我院检验科提供，为分离自烧伤病房的多重耐药病原菌，包括甲氧西林耐药金黄色葡萄球菌（MRSA）、铜绿假单胞菌（PAE）、大肠杆菌（ECO）、肺炎克雷伯菌（KPN）各1株。

简介：利用飞秒激光三光束干涉在ZnO晶体表面制备微米-纳米复合周期结构。该结构由两部分组成：由激光干涉强度花样决定的微米长周期结构以及由飞秒激光偏振决定的短周期纳米条纹结构。利用800nm激光激发大面积的微米-纳米复合周期结构后发现,该结构的荧光强度得到了极大提高。显微发光照片表明,该结构在平板显示、高密度光存储以及光子晶体制备上都具有潜在的应用价值。

简介：经过亿万年的形成过程，矿物晶体显示出自然界中数学的美和对称，晶体的元素有着整齐的排列，它们的结构是如此地严谨，以至于数学可以成为分析它们的最完美的工具。

简介：O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦（中科院长春物理所.吉林,长春（130021））//发光学报.—1998,19（4）.—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3（常唯）O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble

简介：O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)

简介：晶莹的雪花,洁白的食盐和闪耀的宝石,都属于晶体。它们在微观结构上都周期重复着某一种结构。那么人们是怎样对晶体结构进行表征和分类的呢?这就使用到了数学中的群论(GroupTheory)。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格,不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系,各种晶系分别与14种空间格相对应,在宏观上又可以归结为32种空间点群,在微观上可进一步细分为230个空间群。如果没有群论来表示晶体结构中的对称性等特征,人们在分辨和研究晶体的时候就会一头雾水。不仅如此,在测定分析晶体结构的时候,科学家们正是利用了群论结合晶体衍射的物理原理,才能根据测试数据有效计算出准确的晶体结构。

简介：