简介：索尼公司的PlayStation3、任天堂公司的Wii和微软的Xbox360都使用了IBM提供的芯片。最近,IBM公司的一项新技术方案的发布,将会极大提高这些消费电子产品的性能。

简介：AMD近日表示，该公司已经推出了家用电脑专用的自有品牌记忆体模组。新的AMDMemory品牌DRAM模组将会提供2GB、4GB与8GB等版本。

简介：ICInsights日前发布报告调高2016年半导体销售展望，从原先预计衰退1％调高至增长2％，单位出货量预计将增长4-6％。报告指出DRAM市况转强是展望改善的主因。

简介：文章主要介绍了一种动态存储器在刷新操作下的省电方法。随着动态存储器存储容量越来越大,每一次刷新操作的功耗也越来越多,这会对DRAM的运行带来更大的影响。文章在分析现有技术的动态存储器在刷新状态下的工作原理的基础上,通过对不同bank的行译码改变以达到减少同时激活的wl数目的方法,来减少动态存储器刷新操作时的瞬时功耗,以实现省电的目的。

简介：<正>半导体业内人士分析认为,2004年有可能是近5年来PC类产品更新换代的第一个高峰年,除PC类产品的出货量有较大幅度增长外,每个系统的存储器平均用量也将从2003年的384兆增加到2004年的512兆,因此,2004年对DRAM产品来说是一个亮丽

简介：资策会产业情报研究所(MIC)预估,由于下游景气持续不佳,2016年全球半导体市场成长率可能较2015年衰退1%,产值约3,399亿美元。台湾半导体产业方面,在DRAM产值跌幅趋缓的带动下,2016年产值将达2.2兆元新台币,较2015年微幅成长2.2%。根据资策会MIC统计,2015年全球半导体市场规模仅较2014年成长2.2%,达3,434亿美元。台湾半导体产业方面,由于终端PC市场出现较大幅衰

简介：<正>半导体测试公司惠瑞捷(Verigy)旗下全资子公司TouchdownTechnologies推出了其1Td300全晶圆探卡,这是该公司首款用于高级DRAM存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对300mm或200mm晶圆进行高并行测试(highlyparalleltesTIng)。每探针只需要2g压力就能够测试整个300mm晶圆,堪称业界最低的探针压力,所需压力不到市面上同类产品的一半。1Td300探卡提供了双重优势,不仅能够降低对被测晶圆和整个测试台的压力,同时允许更高的引脚数,以拓展半导体测试范围。《国际半导体技术蓝图》(ITRS)预计,到2011年,DRAM的多

简介：三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。

简介：存储芯片调研公司集邦科技日前发布了2010年四季度的全球DRAM营收报告,去年四季度DRAM市场营收86.4亿美元,相比三季度的107.8亿美元下降20%。芯片期货价环比下降40%,但产能增长16%。

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