简介：摘要：以TFT工艺为基础的器件，主要的材料包括绝缘层（SiNx）、非晶硅半导体层（a-Si）和电极层材料。其中，绝缘层和非晶硅层需要通过CVD成膜制备。在所有CVD成膜技术中，PECVD可以起到明显的增强效果，该种技术的能量来自等离子体（Plasma），反应气体的活性增加，保证薄膜在积淀之后可以更加均一，同时具有良好的覆盖率。本文主要分析了工艺参数对PECVD氮化硅成膜效率的影响，在实验的过程中对以射频功率为代表的几个参数进行调整，最后得出相关的实验结论。
TFT中PECVD氮化硅成膜参数对成膜速率的影响研究
