简介：基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150nm和100nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20GHz,增益约为23~28dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10dB。
8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计
