简介:<正>建区四年,坪山新区已引入重大用地产业项目85个,投资近1000亿元;国家生物产业基地已引进30余家生物医药企业和产业化平台项目,总投资逾100亿元;2012年,国家生物产业基地共实现工业总产值40亿元,预计到2015年,工业总产值将达到200亿元坪山新区自成立以来,一直高度重视生物产业的发展,坪山国家级生物产业基地的建设更是新区经济建设的重中之重,这里也被誉为"深圳生物产业新的经济增长极"。预计到2015年,新区生物产业产值将达到200亿元;到2020年,新区生物产值将达到1000亿元左右。届时,新区将真正成为深圳国家生物产业基地的核心区和示范区。
简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。