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简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

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简介：大规模集成电路的出现，促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC／DC反激开关电源，并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法，该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式，其输入、输出电路采用光耦隔离。

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。

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简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

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简介：<正>据报道,达方电子在既有高频通信组件的基础下,用两年时间自行开发完成了GSM/DCS双频及GSM/DCS/PCS三频天线T/R开关模块。该模块尺寸为5.4mm×4.0mm,为目前世界中最小尺寸。双频T/R模块已通过中国手机大厂认证,并小量交货,2003年底出货100万枚。三频T/R模块目前正在与国内

简介：大功率半导体激光器列阵的光纤耦合模块对光纤焊接的要求很高，在焊接避免使用有机粘接剂和有助焊剂的金属焊膏，因为其在激光器工作时易挥发出有机物质。这些有机物会污染激光器腔面，致使激光器工作时腔面温度过高。附着在腔面的有机物就会被碳化，影响激光器的出光率，甚至还会导致激光器烧毁．文章介绍用电场辅助焊接的方法，使光纤在硅片的V型槽中固定，在焊接中不使用助焊剂和有机粘接剂，取得了良好效果，减少了激光器腔面的污染，从而提高了半导体激光器光纤耦合模块的寿命。测试结果表明，剪切强度最大可达35MPa。

简介：RC821型双台车电阻炉尽管生产效率较高,然而热能未充分利用。本文介绍了对其附件的改造及利用,提高了装炉量,降低单耗,方法简单易行,效果非常显著。

简介：交换技术已经成为高速路由器的核心技术。本文基于目前高速交换技术所采用的主要体系结构，带有虚拟输出缓冲队列（VOQ）的输入队列交换结构，分析已经存在的各种调度算法的性能，并设计基于遗传算法的调度策略，提供IP数据网络的QoS对时延抖动的保障。

简介：致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司近日发布以硅锗（SiGe）技术为基础的4GRF前端模块（FEM）突破性技术平台。该公司已采用此创新平台开发下一代IEEE802.11ac无线网络（WLAN）前端模块。IEEE802.11ac被业界视为第五代WiFi或5GWiFi。

简介：今年第一季度中国有1800万新增移动用户，而且今后几年内还会有2亿新用户加入到GSM网络中，因此从年初开始，中国移动在全国范围内开始将GSM网络进行扩容，并在扩容的同时向EDGE升级。面对GSM的继续扩容、向EDGE升级以及网络今后的演进，诺基亚西门子通信日前发布了一款FlexiGSM基站，并认为这是一项革命性的技术。