简介：ACE选择性焊接系统采用可编程的“移动式锡波”完成焊接工序；

简介：在选择性焊接前预热组件对于确保大多数装配获得良好的焊接结果发挥着至关重要的作用。预热必须受到严密监控，以便所有组件都能以有序的线性加速度升高到一定的预热温度。

简介：本文介绍了选择性焊接的概念、特点、分类和使用工艺要点。选择性焊接是现代组装技术的新概念，它的出现促进了SMT（表面贴装技术）的发展，并为PCB设计者提供了新的工艺选择。可以确信选择性焊接将会被更多地应用于电子组装上，成为一种具有竞争力的焊接技术。

简介：采用多轴笛卡尔机器人设计，用于表面贴装与混装工艺中的通孔和异型元件在PCB上的选择性焊接。

简介：设备特性：术高品质自动焊接装置，可代替烙铁焊接：

简介：分析了大圆距离约770km的斜向探测电路的实测数据，统计了信号幅度衰落的累积分布、衰落深度、衰落率、基本相关时间、基本不相关时间和多普勒展宽共六个常用于描述短波信道时间选择性衰落特性的参数，还进行了不同积累时间频谱的分析。结果表明：不同传播模式，多普勒域幅度衰落66％较为符合正态分布，时域幅度衰落73％较为符合维布尔分布；电离层稳定时，幅度衰落自相关的特征值较大，而且自相关半径较为接近基本不相关时间；有效积累时间内，积累时间越长，多普勒分辨力越高，信号更加锐化；积累时间大于有效积累时间时，相干性变差，积累效果恶化。

简介：摘要通过分析国内汽车电涡流缓速器发展现状、缓速器具体结构组成及工作原理，提出电涡流缓速器的合理优化改进方式。进而提升制动性能。

简介：JadeS200带有一套高可靠性低维护的锡锅及泵系统，配有一套通用的高可靠的AP系列焊嘴。锡锅同锡泵的高度集成使得维护的需要降到最低。锡泵的转速是由电脑编程电子闭环调速来保证达到最佳的波峰。

简介：SMS1000在线式选择性波峰焊依据模块化的设计理念，使客户完全可以根据其产量和生产品种的变化增加或撤去各个生产单元以满足生产的实际需要。Hanson凭借其广泛的研究和生产，丰富的经验，创新能力和独有的技术，在波峰的稳定性、波峰高度、防范距离和精确性在工业领域均遥遥领先。

简介：Seica公司已宣布推出用于FireFly激光选择性焊接系统的最新强大软件。该软件包提供了一个全新的自动化开发环境，可大大缩短印刷电路板（PCB）焊接的编程时间。改进的运算法则和更加迅速的环路控制，可实现PCB特征的自动化管理并提供有利的环保因素，从而提高焊接稳定性和质量。激光头具备的独特而精密的X、Y、Z三轴控制功能，源自Seica在飞针测试系统开发方面积累的丰富经验。

简介：目前,偏振模色散(PMD)已经成为高速光纤通信系统发展的主要障碍,本文重点分析了实验室中所用的PMD模拟器(PMDE),给出了PMDE的简化结构图及仿真结果,并且对PMDE的设计和使用提出了几点可行性建议.

简介：共沸混合物在溶剂清洗剂中有着广泛的应用,文章介绍了有关的物理化学原理,以期使读者对共沸混合物的性能特点以及配制的方法有较深入的了解.

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：挪威航行服务提供商Avinor公司日前选定Sensis公司为其卑尔根市Flesland机场提供多点定位产品和VeeLoNextGen车辆定位器。Sensis公司产品部署后，可监视机场跑道、滑行道和等待区，以及机场场面工作车辆的位置，帮助空中交通管制员提高机场在各种天气条件下的运行安全与效率。

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：文章介绍了一个用于压力传感器的∑-△AD转换器的调制器设计。它能在低于200mV输入信号伴随100μV低频噪声的条件下提供高达87dB的信噪比，有效精度达到14位，并且具有可编程的过采样率以适应不同应用需求？采用0．5μmCMOS双多晶三铝工艺设计，3．4V电源，总功耗小于200μW。全文分析了AD转换器在系统中应用时，系统对AD的性能指标要求以及如何设计具体的参数来达到所要求的精度。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：