简介：三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。
简介：添加剂在电镀过程中发挥着不可替代的作用。文章介绍了一种可以减薄板面铜厚及改善通／盲孔的均镀能力的新型添加剂。通过对添加剂浓度、电流密度、气流量等施镀条件进行单因素实验研究其电镀效果。在最佳条件下，该添加剂对通孔的均镀能力可以提升12％，对盲孔的面铜可以减薄30％且不影响填孔品质。为了观察铜层表面的形貌．使用测试电子扫描显微镜（SEM）对镀铜表面进行检测。并通过浮锡检测铜镀层的延展性。未发现断裂问题。满足印制电路板品质要求。
三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10％
新型添加剂对通／盲孔电镀均匀性的提升研究
