简介:随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。
简介:近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成(ROM-LESSDDS)高速芯片。目前,这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位,此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1.2kMHz。