简介：基于Si的多层的结构广泛地在当前的微电子学被使用。在他们的准备期间，一些不同类的剩余应力被导致，导致在接口错配和表面精力和平导致结构失败之间的竞争。这个工作在多层的半导体heterostructure在剩余应力的测量上介绍方法学的研究。扫描电子显微镜学(SEM)，micro-Raman光谱学(太太)，和传播电子显微镜学(TEM)被使用测量多层的结构的几何参数。在拉曼光谱和压力/紧张在上之间的关系[100]并且[110]水晶取向被决定分别地启用表面和剖面图剩余压力分析。基于印射结果的拉曼，沿着多层的heterostructure的深度的剩余应力的分发成功地被获得。
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