简介：低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。
简介：一铅铸件采用“外层块状成形冷铁配内侧整体成形冷铁”的工艺，在确定工艺参数时，如果设计的浇注充型压力、充型速度不适当，金属液就易出现紊流，导致卷入气体而形成气孔、渣孔等铸造缺陷。因此，在进行实际浇注试验前，运用华铸CAE／InteCAST铸造模拟系统对设计的浇注工艺进行了充型及凝固过程的数值模拟，分析充型及凝固过程中流动场、温度场的变化情况，以确定适合的工艺参数值。
低压化学气相淀积工艺技术
基于华铸CAE系统的铅铸件低压铸造工艺应用研究
