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双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
标签：半带电压漂移低剂量率辐射损伤增强 MOS电容总剂量

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国产LiF(Mg,Ti)-M剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.
标签： LiF(Mg Ti)-M TLD 线性上限重复性脉冲γ射线成批使用

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