简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:在计算机辅助工艺设计中,工序图的设计是工艺设计的一个重要组成部分,是否有一个好的工序图的设计环境,直接影响到CAPP系统能否广泛应用。我所CAPP系统已正式应用于科研生产中。该CAPP系统的工序图设计是在AutoCAD下绘制的,在试运行中发现,工序图的绘制还比较繁琐,究其原因有:(1)到现在为止还没有一种商业化的专用工序图设计软件;(2)工艺工序图设计中有一些专用特殊符号(如定位符号、夹紧符号及焊接符号等)特殊的线型以及一些专用的标注符号等,这些符号如让工艺人员在通用的CAD软件中绘制既费时又不规范;(3)由于工序图只是一个示意图,很多图形是可用以前绘制的或别人已绘制好的相似的图形稍作修改即可,然而在全所范围内没有一个集中统一管理的工序图图库以供所有的工艺人员实现资源共享,各自为政,重复劳动较多。为了解决这一问题,需开发一个适合CAPP中工序图设计的专用工序图CAD系统。
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。