简介:针对透射光栅的减反射技术、ICF系统使用的多用途光栅的性质以及部分相干光在光栅中传输的特性等方面进行了详细的分析和模拟计算,较为系统的研究了用于ICF的光栅特性。针对透射光栅的表面反射不利因素,将光栅的工作角度设置到布儒斯特角附近,利用光束成布儒斯特角入射具有的特殊性质可以达到减反射的目的。计算结果显示,对长周期的透射光栅,将其设置到布儒斯特角附近工作能降低光栅的反射率,特别是总反射率可以明显降低。ICF系统中的色分离光栅可以考虑试用这种方案减反射;对周期在波长附近的短周期光栅也能实现减反射,并能保证更高的一级衍射效率,但布儒斯特角的设置使得TM入射波的一级衍射效率的极值出现在光栅刻槽深度为102的地方,相对TE波,其深度周期被大大推迟,在实际应用中应综合考虑。
简介:利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯(内径为Ф31mm,弧长为1430mm,壁厚为3.5mm,管材为掺铈石英玻璃)进行高负载(爆炸系数fx=0.6)实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现,氙灯运行不到10发时,氙灯灯管内壁出现白色花纹,而且白色花纹的出现是随机的,并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加,氙灯内壁出现乳状积淀物,发白区域从两端向氙灯中间延伸,但并不是均匀分布,而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时,在灯管内壁会出现短的亮线(即极限负载条纹),随着运行发次的增加,亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形,亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加,呈一系列的圆环分布,但圆环的间距并不相同,而且当氙灯冷却到室温时,可以观察到灯管内壁和氙灯下端(竖直)附有白色颗粒物。
简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:预紧接触式结构是指结构中存在预紧构件,预紧构件与其他构件之间是相互接触的。在工程中经常遇到预紧接触式结构,如产品在包装时采用的泡沫垫层、武器设计中使用的垫层等,这些结构的共同点是在正常工作环境中垫层总处于受压状态,即垫层结构在有效的工作环境中沿厚度方向是不能承受拉力的。预紧接触式系统中,在预紧力一定的条件下,结构的动力学特性会随激励力幅值大小以及频率的变化而变化。在小幅值振动的条件下,可以认为系统是线性的,在幅值较大时,结构会表现出明显的非线陛特征。当激励满足一定条件时,系统会产生滑移、接触分离,而这往往是工程实际中所不允许的。分析此类问题需要了解结构的动态特性,而滑移、接触分离将导致系统的强非线性,就不能采用拟线性的方法来处理这类问题。