简介：以菲涅尔公式为基础，推导得出物质反射率与交界的两种介质相对折射率的关系，并用Origin软件进行数值模拟，很好地解释了光反射中的一种实验现象。

简介：界面氧化是热障涂层剥落失效的重要因素,基于粗糙界面热障涂层应力场的有限元分析方法与裂纹开裂准则,采用蒙特卡罗可靠性算法分析了界面氧化开裂概率。在此基础上,利用敏感性因子分析了各参数对热障涂层可靠性的影响,发现：开裂概率随界面振幅、TGO厚度、杨氏模量、热膨胀系数差和温度差的增大而增大,随着界面波长和断裂韧性的增大而减少。因此,减少热膨胀系数失配、温度差以及TGO厚度是提高界面氧化开裂寿命的可行方法。

简介：目的：研究一种使用连续的土壤模型模拟土壤-结构界面的新方法，并阐述这砦模型增强土壤-结构相互作用的建模方法。创新点：1．基于先前的亚塑性模型，通过将晶粒间应变的概念融入模型公式来模拟循环载荷。2．整体性较好的模型具有更好、更精确的模拟结果。方法：1．采用一种砂浆接触的力学方法，其中一个表面作为主面，另一个表面作为从属面。2．采用砂浆接触的力学方法并结合用户定义的子程序，对土壤-结构界面进行建模。3．基于先前的亚塑性模犁，将晶粒间应变的概念融入模型公式来模拟循环载荷。结论：1．整体性较好的模型具有更好、更精确的模拟结果。2．本文提出的土壤-结构界面建模方法不仅提高了模拟结果，且在某些模拟中提高了数值收敛性。

简介：溶胶界西层厚应通常是用Porod法对高角区负偏离的队Porod曲线进行拟合求算，但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均阗径之差而获得平均界面厚度。应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度。

简介：研制了二维多介质流体程序，主要包括单介质内高精度流体力学计算，多介质混合网格内各种介质输运过程和压力驰豫平衡过程计算、实际状态方程的黎曼解计算。流体计算分别采用高分辨两步PPM（ParabolicPiecewiseMethod）算法、TVD（TotalVariationDiminishing）算法和FCT（FluxCorrected—Transport）算法，流体界面追踪采用VOF（Volume-of-Fluid）。数值求解可压缩多流体方程组和可压缩VOF方程。二维界面追踪分别采用一阶精度Youngs方法和二阶精度Elivira方法，三维界面追踪采用一阶精度Youngs方法，

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：采用晶体相场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延层的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延层的生长形貌和界面平均厚度,分析了晶格失配和衬底倾角对外延层的影响。研究表明,在错配度较大时,随着衬底倾角的增大,外延层由层状生长(0°与1°)转变为岛状生长(2°)。

简介：为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明：生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。