简介：为研制大功率紧凑型太赫兹源,开展了0.22THz大功率太赫兹源的理论设计研究.THz源采用了表面波振荡器(SWO)结构,研究了慢波结构对太赫兹源产生信号的影响,对慢波结构进行了优化,并结合二极管参数的选择,对THz源结构进行了粒子模拟.结果表明:在馈入电压为200kV,电流为2.9kA的条件下,输出信号频率为0.22THz,功率为19.5MW,转换效率约为3.3％.

简介：自然数集按（mod6）排列后，将自然数符号螺旋对称分布的规律与自然律有机关联起来研究，从中发现数集中部分合数M中所包含相同素因子P，q周期分布与等距传递的规律，即双重素数P,q实项、虚项原构、同构同因子对应组螺旋对称分布结构的形式与规律，可模拟宇宙万物的时空螺旋运动状态，模拟DNA双螺旋结构碱基（A、T、G、C）序列遗传密码结构与形式。亦可作为一种创新方法开发应用研究，为研究DNA序列结构的数学编码，研究宏观宇宙、中观生物、微观质量的对应螺旋运动状态，预测宇宙万物相互关联相互作用的变化规律与趋势，构建基于宇宙中空时序的自然数双重素数因子对应组（多组）螺旋延伸的数码模型，高度抽象探讨与理解宇宙万物运动变化的原本规律，为相关问题的表述与解决提供数码螺旋的解决方案。

简介：在一维光纤光栅的结构中,两端附加上完全吸收匹配层（PML）,用有限时域差分方法（FDTD）,在PML层中,Maxwell方程独立项用前后时间节点的平均值,并且选择适当的时间间隔△t,可以得到光波在光纤光栅中的传播性质。发现：光纤光栅中的介质折射率的差别能够明显改变传播光的频谱结构,而在折射率一定时,通过改变光纤光栅的空间周期,对传播光的影响不明显。在ε1r=15,ε2r=1,光纤光栅分为10段时,在9×10^13到3×10^15Hz范围内,光纤光栅对光的透射率很低。

简介：在模拟球面元件曲率半径的仿面形夹具上镀制了AlF3单层薄膜，并对不同口径位置上的薄膜进行了比较，以表征球面元件表面镀制薄膜的光学特性和微观结构。首先，采用紫外可见光分光光度计测量了不同口径位置上薄膜样品的透射和反射光谱，反演得出AlF3的折射率和消光系数。然后，使用原子力显微镜观察了样品的表面形貌和表面粗糙度。最后，使用X射线衍射仪对薄膜的内部结构进行了表征。实验结果表明：在球面不同位置镀制的AlF3单层薄膜样品的光学损耗随着所在位置口径的增大而增大。口径为280mm处的消光系数是中心位置处消光系数的1.8倍，表面粗糙度是中心位置的17.7倍。因此，球面元件需要考虑由蒸汽入射角不同带来的光学损耗的差异。

简介：研究了LD泵浦的不同谐振腔结构的掺铥光纤激光器的输出特性.采用双色镜和光纤输出端面形成谐振腔,激光器最高斜效率达到了56.9％,对应的量子效率为142％.采用光纤布拉格光栅构成谐振腔,也获得了超过Stokes极限的斜效率,且激光光谱处于光纤布拉格光栅的反射带内.不同腔结构之间对比表明,对于2μm光纤激光器,采用光纤布拉格光栅构成谐振腔,可以在保持高效率激光运转的前提下,获得较好的光谱特性.

简介：使用像增强型电荷耦合器件（intensifiedchargecoupleddevice，IccD）相机系统时，需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列（fieldprogrammablegatearray，FPGA）和专业数字延时芯片AD9501配合使用，可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲，同时保证延时精度，从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度；利用FPGA控制数字电位器MCP42010，调节像增强器微通道板两端高压，可实现对像增强器增益的控制；采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信，可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲，其延时动态范围为110ns～4．3ms，脉宽动态范围为0～4．3ms，分辨率均为65ps，脉冲延时抖动的均方根不大于147ps；实现了256挡位的增益调节。

简介：通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

简介：提出了把光电倍增管光谱特性作为研究性实验内容的设计方案,通过实验可以测定白炽灯辐射的相对功率的光谱分布曲线、光电倍增管的相对光谱响应曲线,标定光电倍增管响应的峰值波长,研究缝宽、温度、磁场等对光电倍增管光谱特性的影响,也可以利用此实验平台研究其它光电器件的光谱特性。

简介：通过对TEM喇叭天线辐射机理的研究，指出了脉冲激励的TEM喇叭天线辐射场由4个子波叠加构成，在不同方向上，各个子波的波形和相对时序不同，导致不同方向上辐射场波形也不相同。由于天线末端辐射子波和馈电点辐射子波极性相反，在主轴方向上两者相互抵消，引起天线主轴辐射性能退化。针对这一问题，提出了一种TEM喇叭天线末端加载设计方法，可改变天线末端辐射子波极性，使其与馈电点辐射子波同相叠加。数值模拟和实验结果表明，该设计方法提高了TEM喇叭天线主轴辐射因子rEp值和rEp-p值，并改善了天线的低频辐射性能。

简介：研究了一种基于FPGA的SOPC技术和NIOSII软核处理器的全新设计方法,结合FPGA中数字信号处理的相关技术设计出了一款钢琴调音系统。设计中对采集到的钢琴声音信号进行FFT、FIR等处理,提取出基波信号,然后对信号基频进行测量,并直观显示被测频率与标准频率之间的差异,从而调整琴弦,达到调音目的。

简介：介绍了一种用于直线脉冲变压器的轨道式多间隙气体开关的设计方法.利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,根据单间隙自击穿电压,利用概率分析方法预测了多间隙开关的自击穿电压.实验结果表明,自击穿电压值与计算值一致;开关自击穿电压的相对标准偏差约1.5％,在60kV触发电压和48％～74％欠压比下,开关抖动为0.9～2.6nS;由该开关组成的FLTD回路电感约290nH.

简介：研制了一台小型超宽谱高功率微波辐射系统,该系统由Tesla型100kV级ns脉冲源、Peaking-chopping型亚ns气体开关及TEM喇叭天线构成.系统重复运行频率为100Hz,辐射因子rEp值为75kV,主轴辐射场中心频率为520MHz,-3dB频谱范围为230～810MHz.系统集成于一便携箱内,体积为80cm×50cm×26cm,重量约45kg.该系统结构紧凑,能够快速展开和撤收,可方便用于超宽谱高功率微波应用技术研究.

简介：设计一种基于STC89C51单片机的无线收发系统,本设计采用频率合成技术、FM调制技术及超外差解调技术,单片机对锁相环本振频率(发射43MHZ、接收53.7MHZ)锁定并通过液晶显示,本振频率在一定的范围内可调。将音频信号、咪头信号和数字英文字母信号作为调制信号,最后实现了音频、数字、英文字母等信号的重现。

简介：基于复功率守恒技术编制了分析内壁刻槽TE11-HE11圆波导模式变换器数值计算程序；采用该程序为工作频率为30．5GHz的高功率回旋速调管设计了一半径为16mm的TE11-HE11模式变换器。计算表明该变换器在2．7％的带宽内转换效率在98．8％以上，实验结果表明该变换器性能良好。相对于其他设计技术，该技术具有占用计算机内存极小、分析速度快和精度高的优点。

简介：为了充分利用太阳能,精确跟踪太阳光,节省跟踪过程中系统的用电量,提出了一种利用变频器控制异步电机进而对太阳光进行跟踪的方式。用实时时钟实现粗略判断,变频器根据感光装置感应的信号大小,改变频率及电压,进而改变电机转速,实现更精确的跟踪,节省了系统的用电量。避免了视日轨迹跟踪在阴雨天气浪费电能、以及跟踪精度的缺陷,而且有利于系统的稳定。

简介：根据空间应用电子设备的热控要求，对空间光学遥感器的控制电箱进行了热控设计。首先，总结了空间电子设备的热设计原则。针对空间光学遥感器控制电箱介绍了相应的热设计流程，对典型的大功率器件进行了温差推算，并说明了电箱的各电路板和大功率元器件的热设计方案。最后，通过热分析和热试验手段对热控电箱的热控方案进行了验证。试验结果表明：控制电箱的整机稳态工况热平衡温度小于30℃，各元器件的最高壳温在54.2℃以内。结果验证了该设计方案完全满足设计指标要求。

简介：根据超外差接收机原理和数字锁相环原理,简单介绍CD2003和MB1504的特性与基本用法,并给出一个应用该器件制作超外差调频接收机的具体设计方案。

简介：详细分析了目前语音识别系统中普遍采用的Mel频率倒谱系数（MFCC）特征参数的提取过程和动态时间规整（DTW）识别算法流程,提出了一种在NiosIISOPC软核平台上通过提取和分析语音信号的MFCC特征参数实现语音识别解决方案。

简介：对将运行于日-地L1点的太阳观测器进行了热设计，重点论述了日-地L1点的轨道外热流计算和Lymanα日冕仪（LACI）反射镜M2光阱、Lymanα日冕成像仪（LADI）滤光片组件、CCD组件、电箱、观测器主体等部分的热设计方案。通过在探测器对日面设置集热板，将观测器的主动加热功耗降低了73％；选用预埋热管的设计方案解决了对日定向观测导致的框架温差问题。仿真分析结果表明，在对日高温工作、对日低温工作、低温存储、轨道转移等4个极端工况下，观测器各组件温度均满足指标要求。该热设计方案以较低的加热功耗，解决了太阳观测器在轨工作阶段的散热、轨道转移阶段的保温等问题，满足CCD焦面工作温度＜-50℃的要求。