简介:以Sn8Zn3Bi为研究对象,采用微合金化方法研究了不同含量的Cu元素对其显微组织、钎料合金与Cu基板钎焊后的界面金属间化合物(IMc)层尺寸及焊接接头剪切强度的影响。结果表明,Sn8Zn3Bi-xCu/Cu(x=0.3,0.5,0.8,1.0,1.5)焊接界面IMC主要为层状Cu5Zn8相。随着Cu含量的增加,界面IMC层的厚度逐渐减小,接头的剪切强度逐渐提高,Sn8Zn3Bi-1.5Cu/Cu接头剪切强度较Sn8Zn3Bi/Cu显著提高。经120℃时效处理后,Sn8Zn3Bi-xCu/Cu(x=0,0.3,0.5,0.8,1.0,1.5)焊接接头剪切强度都明显下降,接头断裂方式由韧性断裂转为局部脆性断裂,但添加了Cu元素的钎料界面IMC生长速度较Sn8Zn3Bi钎料慢,因此Cu元素的添加抑制了界面IMC层的生长。
简介:根据固体和分子经验电子理论(EET理论),分别计算了静压法和爆炸法合成金刚石过程中石墨和金刚石的价电子结构,获得了超高温高压下石墨和金刚石12组不同组合晶面间的价电子密度,结果表明,采用静压法合成金刚石.石墨/金刚石晶面的电子密度差均大于10%,说明其晶面的价电子结构差异太大,不能诱发石墨向金刚石的直接转变。而采用爆炸法合成金刚石,石墨结构理论键距和实验键距差是0.1073nm,明显大于稳定的价电子结构键距差的最大值(0.005nm),因此,爆炸法条件下,石墨的价电子结构不稳定,主要因为超高温高压下,石墨先分解出亚稳相后再转变成金刚石结构。
简介:以硝酸铁为原料,三乙二醇(TEG)为溶剂,采用热分解法制备了γ-Fe2O3纳米粒子,通过X射线衍射fXRD)、差热-热重分析、N2吸附-脱附(BET)和磁性分析(VSM)等测试手段对制备的样品进行表征,并考察了硝酸铁浓度和反应时间对γ-Fe2O3晶粒尺寸及性能的影响,结果表明,硝酸铁在TEG中高温热分解后能够产生γ-Fe2O3纳米粒子,并且随着硝酸铁浓度和反应时间的增加,γ-Fe2O3纳米粒子的晶粒尺寸和饱和磁化强度都有增大的趋势。
简介:采用高温熔融-退火法在钠硼铝硅酸盐(SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O)玻璃中生长了PbSe量子点,通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致荧光(PL)谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响,结果表明,ZnO含量占总玻璃配料质量比约9.4%时,生成的量子点尺寸比较均匀,直径约为6.5nm,且浓度较高,PL谱强度最强,辐射峰位于1790nm,FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成,减少Se元素的挥发,使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。
简介:利用制浆造纸废料碱木质素制备了木质素基磷酸酯季铵盐两性表面活性剂,以此表面活性剂为结构导向剂,采用直接沉淀法一步制备了纳米氧化锌材料,XRD、EDS和SAED分析结果表明,产物为高结晶度的多晶六方纤维锌矿氧化锌,粒径在30nm左右;SEM和TEM分析可知,所合成的纳米氧化锌为具有粒子-片层-粒子三级结构的纳米材料,氧化锌主要沿着[101]和[100]晶面生长。同时对所制备的纳米氧化锌进行了紫外光催化降解亚甲基蓝的研究,实验结果显示,该纳米氧化锌有较好的光催化活性。
简介:采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。
简介:德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特/s(40Gbit/s)的单VCSEL(垂直腔面发射激光器)。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上,该公司刚介绍了其20吉比特/s的器件,目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特/s连续传输,这是850hm(波长)光发射的刨记录器件,是用与20吉比特/sVCSEL相同的光刻掩模研制的,但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点,并嵌入到AlGaAs基体中。