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9 个结果
  • 简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。

  • 标签: 6009铝合金 激光电弧复合焊 腐蚀性能
  • 简介:据悉,石墨烯具有低的光吸收率,而日前伊利诺伊大学厄本那香槟分校的研究人员通过实验证实改变石墨烯表面的应力,使其表面产生"褶皱"结构,增大面密度,可以提高石墨烯的吸光性,这对于石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。当然这种研究方法不仅限于石墨烯,也适用于其他新兴的二维材料。

  • 标签: 石墨 光电 吸光 大学 证明 试验
  • 简介:据物理学家组织网近日报道,加拿大科学家开发出一种可显著改善太阳电池效能的新技术,该技术可在近红外光谱区提高35%的太阳转换效率,总体转换效率(全光谱)由此增加11%,从而使量子点光伏成为替代现有太阳电池技术的极佳候选者。相关论文发表在最新一期《纳米快报》上。

  • 标签: 太阳能电池 新技术 加拿大 电池效率 转换效率 物理学家
  • 简介:韩国科学家研制出灵活到足以环绕普通铅笔的超薄太阳电池。这种柔韧的太阳电池可为像健身追踪器和智能眼镜一样的可穿戴电子设备供电。

  • 标签: 太阳能电池 超薄 发丝 厚度 设备供电 科学家
  • 简介:欧洲的研究人员已经开发出可以弯曲和拉伸到原来的四倍长的导电轨道,可以用于人造皮肤、衣物和身体传感器连接。导电轨道通常很难印在一个名牌上。但是,最近EPFL的研究发现:他们已经制备出一种灵活的橡胶,该橡胶可以向四面八方拉伸到原来的四倍的长度。这种材料可以拉伸一百万次而不开裂,也不影响其电导率的性能。

  • 标签: 人造皮肤 导电轨 液态金属 实验室负责人 液膜 水滴状
  • 简介:开裂是钢桥面铺装层的主要破坏形式。为研究钢桥面沥青混合料断裂特性及裂纹扩展规律,通过小梁三点弯曲实验,应用数字图像相关方法(DIC)图像采集系统采集试件从加载到破坏的全过程图像。利用非接触式全场应变测量系统(VIC-2D)计算试件在加载过程中的位移场和应变场,并分析出裂缝萌生、发展的规律。结果表明:沥青混合料从相对较弱的胶浆区或胶浆-粗集料界面区开裂和发展;当胶浆-粗集料界面与裂纹发展方向垂直时,粗集料对裂纹的发展有阻断作用;胶浆裹覆细集料的运动轨迹与胶浆的运动轨迹一致。

  • 标签: 数字图像相关方法 沥青混合料 断裂力学 裂缝
  • 简介:采用水热法设计构筑三维花状二硫化钼,并利用XRD、SEM、RAMAN、TG等测试方法对产物的结构和形貌进行了表征,进而作为正极材料组装成锌离子电池并对其进行电化学测试分析,在充放电电压区间为0.2-1.2V、电流密度为1.0A/g条件下,首次放电比容量可达63.9mAh/g,100次循环后其放电比容量保持在53.6mAh/g,容量保持率为83.9%。较高的比容量和循环稳定性使MoS2成为有前景的锌离子电池正极材料之一。

  • 标签: 三维花状 MOS2 锌离子电池 正极材料 储能机制
  • 简介:利用反应性有机硅整理剂结合电子束辐照加工技术提高纯棉织物的抗皱性能,以整理剂浓度、浸泡时间以及辐照剂量为因素进行正交试验,将织物的折皱回复角作为指标筛选出最佳工艺。结果表明,最佳工艺为:整理剂浓度160g/L,浸泡时间18h,辐射剂量43kGy,在该工艺参数下整理得到的纯棉织物的折皱回复角达到了175.6°,比原样增加了33.13%,接枝率为11.20%,白度下降到原样的88.24%,经纬向强力保留率分别为77.09%和84.27%,经过5次洗涤后织物的折皱回复角下降5.3%,耐洗性能较好。分析辐照前后织物的红外图以及扫描电镜图可知,有机硅与纤维素大分子链间发生反应,形成了稳固的交联结构,限制了大分子链的相对滑移,从而提高了纯棉织物的抗皱性能。

  • 标签: 棉织物 电子束辐照 有机硅 抗皱整理 交联
  • 简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。

  • 标签: 第一性原理 钙钛矿型钆铝酸盐 电子结构