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44 个结果
  • 简介:用蒸发/冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层,用广延X射线吸收精细结构(EXAFS)和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比,虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩,但其配位数减少,结构无序性增加。同时,讨论了制备条件对其微结构的影响。

  • 标签: EXAFS 扩展X射线吸收精细结构 氟化锂 慢正电子束 结构无序性
  • 简介:研究了FeMn/Co多层界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的成分掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co的元素分布不相同。

  • 标签: FeMn/Co多层膜 BI 微结构 磁控溅射法 界面 反铁磁/铁磁交换偏置系统
  • 简介:在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶。利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大。

  • 标签: K3C60 单晶薄膜 同步辐射 角分辨光电子谱 导带结构 能带理论
  • 简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层磁电阻增强的可能原因。

  • 标签: n周期多层膜 结构 巨磁电阻 磁控溅射 同步辐射掠入射X射线散射
  • 简介:通过水热法合成了骨架含铁的杂原子丝光沸石,采用XRD,FT-IR及TPR等表征技术确认铁进入了分子筛骨架。利用XAFS技术对分子筛中铁的精细结构和配位环境进行了表征和计算,近边吸收的Fe-K边前跃迁证实铁在分子筛骨架位于四面体配位环境,与邻近原子存在共价键作用;铁-氧配位键长为0.188-0.189nm.

  • 标签: 表征 硅铁分子筛 丝光沸石 XAFS 结构 催化剂
  • 简介:利用Triton和高盐处理制备菠菜光合系统ⅠⅠ(PSⅠⅠ)-La复合物,并应用EXAFS技术研究了该复合物稀土镧的局域结构。初步结果表明,镧与PSⅠⅠO或N原子配位,配位数为8,距离为2.5A左右;第二层配位原子是C,其作用距离为3.5A左右,配位数为4;La与Mn的作用距离4.5A,大于Ca与Mn的距离3.5A。由此推测镧与PSⅠⅠ结合后,改变了其空间结构。

  • 标签: 菠菜 PSⅠⅠ 局域结构 EXAFS 生理效应
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站的用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:用溶胶-凝胶方法合成了掺铒(掺杂浓度10^20/cm^3)的二氧化硅玻璃。在室温下可产生1.54μm波长的红外荧光。实验结果表明:荧光强度随掺杂浓度的不同而改变,并在0.5W%的掺杂浓度下出现最大值。当温度从4K升至300K时,荧光强度下降了74%。通过FT-IR和EXAFS检测,Er离子与O组成了配位数为8或9的配位结构。

  • 标签: 发光性质 溶胶凝胶方法 掺铒玻璃 EXAFS FT-IR光谱 二氧化硅玻璃
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)存在的Jahn-Teller畸变,进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下,能有效地影响到晶格Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化,样品的晶格畸变有所减小。并且对在晶格存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3,在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失,并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:小角X射线散射(SAXS)是一种有效的、重要的亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS的基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系的解析方法及其在溶胶-凝胶法制备多孔材料研究的应用。

  • 标签: SAXS 溶胶-凝胶法 多孔材料 孔结构隙 小角X射线散射
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶和其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比的偏离和杂质的非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上的孪晶。本文中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:介绍了利用北京同步辐射实验室的全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品的可行性。并用此谱仪测量了正常的和辐照的小白鼠小肠细胞的痕量元素含量,发现K、Ca、Fe等元素含量有明显的提高,Cu元素含量明显降低,Mn元素含量变化不大,Zn元素含量基本稳定,并讨论了其在临床医学上的重要价值。

  • 标签: 全反射X射线荧光分析 应用 猪肝标样BGW08551 小肠细胞 痕量元素 生物医学
  • 简介:通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)As的化学形态及其在植物体的转化。结果表明,在大叶井口边草As主要与0配位,根部存在与GSH结合的As,但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理,植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主,但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程具有向As(III)转化的趋势,其转化过程主要发生在根部。实验证明,As-GSH并不是大叶井口边草砷解毒的主要机理,超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。

  • 标签: 植物 化学形态 EXAFS 同步辐射 X射线
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓