简介：用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术，对碳纳米管进行了结构和物性的研究，压力达50．7GPa。在室温常压下，碳纳米管的结构和石墨的hcp结构相似，其（002)衍射线的面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线的面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到，当压力升到8GPa以上，（002）线变宽变弱，碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零，（002）线部分恢复。但当压力升至最高压力50．7GPa时，碳纳米管完全非晶化，而且这个非晶化相变是不可逆的。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据，得到体弹模量为K0＝54．3±3．2GPa（当K’0＝4．0时）。

简介：

简介：通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明，在大叶井口边草中As主要与0配位，根部存在与GSH结合的As，但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中，植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主，但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势，其转化过程主要发生在根部。实验证明，As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理，超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。

简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。