简介:通过一个简单的水热方法成功地合成出由SnO2纳米片作次级结构的新型花状ZnSnO3-SnO2分级纳米结构。ZnSnO3多面体在生长分级SnO2纳米片的过程中主要起模版作用,制备出的SnO2纳米片的厚度约为25nm。还讨论了ZnSnO3-SnO2样品的形貌随反应时间变化的规律,并且进一步讨论了形成这种分级结构的形成机制。此外,由这种新型ZnSnO3-SnO2纳米结构作敏感材料的气体传感器对乙醇气体具有高灵敏和快响应的特点。ZnSnO3-SnO2纳米片在最佳工作温度270°C时,对50×10-6乙醇气体的灵敏度约为27.8,其响应和恢复时间分别在1s和1.8s内。
简介:研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响。结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55g/cm3降低到5.45g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8μm,击穿场强由7443V/cm显著降低至1064V/cm。经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21mA/cm2。当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237-0.5。因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发。
简介:AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts
简介:[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.
简介:复合环形气瓶爆破压力58MPa,未满足60MPa设计指标。气瓶水压爆破试验前依次经强度试验、气密性检查和疲劳试验。气瓶外层缠绕芳纶纤维,内衬为TC4钛合金超塑成形后激光焊接。运用多种分析手段开展内衬裂纹及断口的宏微观形貌分析、特征微区化学成分测定、焊缝金相组织检查。结果发现:在内衬内焊缝收弧焊趾部位存在裂纹源,裂纹源由数个微氧化脆性准解理小平面组成,源区与瞬断过渡区有疲劳条带特征。分析表明,裂纹源形成于焊接过程,在疲劳试验中发生疲劳扩展,而后爆破试验因裂纹前端应力强度因子达到临界值而发生失稳爆裂,裂纹性质为氢脆裂纹,属焊接气体保护不充分引起的环境吸氢。
简介:本文讨论了两层结构的挠性覆铜板的制法及主要性能,并且介绍了此类覆铜板产品耐折性能的测试、评价方法。