简介:AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts
简介:[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.
简介:介绍了一种自行发明的新的雾化方法。该方法是采用含有固体介质的高速气流即气固两相流对液体金属或合金进行雾化而制备粉末的一种方法,对比研究了同等条件下普通气体雾化与两相流雾化制备粉末的特征,研究了固体雾化过程中主要工艺参数对固体雾化粉末特征的影响规律。结果表明,两相流雾化制得粉末的平均粒度约为普通气体雾化所得粉末的二分之一,而且粒度分布更集中,粉末的冷却速度比普通气体雾化高一个数量级,粉末微观组织更细小;采用液体雾化破碎准则韦伯数以衡量雾化介质的破碎能力,得出两相流雾化介质的韦伯数为气体韦伯数和颗粒流韦伯数之和,建立了两相流雾化破碎的临界方程,并以此讨论了主要工艺规律。
简介:目前高密度电阻率法所采用的数据处理方法主要是将地质结构体视为二度体进行二维处理,因而二维数据资料处理结果只是一种近似解释,其计算精度与反演效果达不到精确反演的要求。设计两种典型的电阻率异常地质体模型,利用有限单元法进行正演计算。为更真实地模拟实测数据并分析二维、三维反演算法对噪声的敏感度,在正演剖面中加入1%的高斯随机误差,然后再分别利用最小二乘法进行高密度电阻率法二维、三维反演。对比二维和三维高密度电阻率法的反演水平切片及垂直切片图可知,三维反演受高斯随机误差的影响更小,反演结果在模型异常位置、形态和电阻率特性反映上都比二维反演的效果更好,与实际地质模型更接近。
简介:在硅酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐或其混合电解液中对锆-4合金进行等离子电解氧化。通过实验确定合适的工艺参数,并运用电化学技术、显微硬度、SEM、XRD等技术对膜层性能进行表征。结果表明:在纯的硅酸盐电解液中得到的膜层很不均匀,且在添加磷酸盐后,膜层均匀性仍然很差。在焦磷酸盐体系中得到的膜层比较均匀,但硬度低。在焦磷酸盐体系中添加硅酸盐后,膜层的均匀性和硬度都得到改善。XRD结果表明,膜层的主要成分为单斜氧化锆和四方氧化锆。添加硅酸盐后,有利于四方氧化锆的形成。极化曲线结果表明,在焦磷酸盐以及焦磷酸盐与硅酸盐混合体系中得到的膜层具有较强的耐蚀性。