简介:为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。
简介:分析了检测电弧故障的几种主要方法单一使用的劣势,阐释了科学衡量电弧光强度的方法。基于实验详细分析了电弧光的光谱组成成分及各成分在电弧光中的相对强度。分别给出了220V/200A和20kV条件下金属导体短路和高压电离时的电弧光光谱结构。在220V/200A的条件下,对于金属导体短路时的电弧光而言,大约有60%~70%的电弧光强度处于250~380nm的紫外光波段,而20kV的高电压下,由于空气受激发而电离产生的电弧光中有近90%的强度来自300~380nm的紫外光。通过分析电弧光光谱的特征,给出了电弧光以紫外光为主的重要特点及其在电力系统故障保护方面的应用前景。
简介:摘要在传统直接转矩(DTC)基础上,采用SVPWM控制技术,并将其应用于风电模拟系统电机控制中,试验结果表明,和传统DTC相比,DTC-SVPWM更能减小低速运行时极易出现的转矩和磁链脉动,在稳定性、动态响应、鲁棒性和实时性方面都有了较为明显的改善。
简介:由于断路器在开断过程中产生电弧,若电弧重燃会导致开断失败,因此电弧本身的特性对断路器的开断性能影响十分重要.由于电弧与气流相互作用,同时电弧与气流均在短时间内动态变化,是一非定常、有黏、有源且变边界的复杂求解过程.本文针对550kV单断口高压SF6断路器开断容性小电流和短路故障两种情况进行分析,基于有限体积法对不同开断条件下的气流场进行数值仿真,引入等效单元体电弧动态模型,同时提取不同采样点下的气流参数时间序列,采用混沌理论方法对不同开断条件下的混沌特征量进行对比分析,有效利用混沌可以增强电弧能量的逸散作用,利于电弧熄灭,提高开断性能.