简介：对N阶电阻网络等效电阻进行了研究,应用虚拟电流法给出了这类问题的两个普适规律,并将所得结果与其它相关结果进行了比较

简介：利用复变函数保角变换,将平行轴圆柱形电阻器变换为同轴圆柱形电阻器,并对电阻进行了计算和详细讨论

简介：介绍了产生超短光脉冲的基本原理、方法和装置、测量方法,论述了超短光脉冲的应用、主要的研究方向与发展前景。

简介：电阻的测量是近年高考的热点。2001、2003、2005年高考物理实验题都与电阻的测量有关。高中实验中电阻的测量方法多样，具有一定的难度．学生普通感到难学。下面就对电阻的测量方法做些归类。

简介：目前，脉冲放电等离子体烟气治理技术（PPCP）实现产业化的关键之一是研制出长寿命的大功率脉冲电源，要求电源连续稳定运行时间大于6000h。而脉冲电源的寿命主要由开关寿命决定，传统火花间隙开关或氢闸流管开关寿命相对较短而不能长期连续稳定运行，工业化应用成本高。为此，文中采用固态开关技术设计了脉冲电源的实验模型，验证设计PPCP用大功率固态脉冲电源的可行性。

简介：重复频率高电压窄脉冲电源可应用于烟气脱硫脱硝，而制约该类电源工业应用的因素主要是大功率开关的耐压、通流能力及开关寿命。火花隙开关及氢闸流管开关已经发展到耐压分别到兆伏和几十千伏的量级，磁开关也可做到几十千伏，而半导体开关一般的耐压能力却在几至几百千伏以下。寿命上，火花隙开关、氢闸流管开关和固态开关大致为10^9，3×10^9，10^12次。显而易见，对于要求高重复频率长时间连续工作的环境，如电厂的烟气净化装置，电源的低成本及长寿命无疑是首要条件，所以采用磁开关结合半导体开关研制全固态窄脉冲电源就成为比较理想的方案（图1）。由图1看出，该电源除了采用磁开关及半导体开关技术外，另一大特色就是采用了可饱和脉冲变压器，利用它的可饱和特性，可以达到类似于磁开关的压缩脉冲的效用，并且同时也具有变压器本身的特性。半导体开关拟采用数只快速可控硅串联，开关触发电路的设计采用光控及变压器隔离的方案，开关保护电路采用并联均压电阻及RCD保护回路的方案。可饱和脉冲变压器和磁开关的磁芯材料选取超微晶及铁基非晶合金材料。由于磁开关及变压器的使用，磁芯的损耗是影响电源能量效率的主要因素之一，初步估计该电源的效率在70％以上。

简介：传统的光子计数技术一般采用光电倍增管作为探测器。一般情况下，弱光信号在时间上较分散，因而由探测器输出的是离散电信号。针对这一特点，采用脉冲放、脉冲高度甄别和数字计数技术进行单光子计数。累计输出的脉冲计数即为探测到的光子数。对于离散弱光信号，传统单光子计数方法较为可取。但由于存在甄别器死时间限制和倍增管输出脉冲堆积效应的缺陷，该方法在对短脉冲微光光子计数时失去实用价值。

简介：用伏安法测电阻时，待测电阻(Rx)在何值范围内采用内接法，Rx在何值范围内采用外接法，本文就此进行讨论。

简介：讨论一维空间中超前型与滞后型交替的脉冲微分系统．首先考虑具常系数的脉冲微分系统平凡解稳定的充分条件；其次研究了具变系数的脉冲微分系统的振动性，并给出了其解的表示式．

简介：在脉冲间对感应加速腔磁芯复位，可以提高加速腔磁芯的利用率。在小于1μs间隔的脉冲间对磁芯复位，由于动作时间极短、电压高（〉200kV），靠开关隔离励磁和复位脉冲现阶段是不能实现的。

简介：利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯（内径为Ф31mm，弧长为1430mm，壁厚为3．5mm，管材为掺铈石英玻璃）进行高负载（爆炸系数fx=0.6）实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现，氙灯运行不到10发时，氙灯灯管内壁出现白色花纹，而且白色花纹的出现是随机的，并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加，氙灯内壁出现乳状积淀物，发白区域从两端向氙灯中间延伸，但并不是均匀分布，而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时，在灯管内壁会出现短的亮线（即极限负载条纹），随着运行发次的增加，亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形，亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加，呈一系列的圆环分布，但圆环的间距并不相同，而且当氙灯冷却到室温时，可以观察到灯管内壁和氙灯下端（竖直）附有白色颗粒物。

简介：讨论脉冲时滞差分方程xn+1-xn+pnxn-2=0,n≥0,n≠nkxnk+1-xnk=bkxnk,k=1,2,3…给出了方程所有解振动的充分条件。

简介：利用锥上的Krasnoselskii不动点定理,证明了二阶非线性具特征值问题的脉冲微分方程正解的存在性.

简介：基于物理学原理阐述了电阻加热发热机制,并介绍了一个初步的物理模型。对设备设计所涉及到的几个重要的参数进行了研究和讨论,为设备设计提供了理论指导。最后描述了设备结构,简单介绍了应用情况。

简介：文章介绍一种在线电阻测量用的新型多用电桥

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：我们针对金属和合金纳米固体提出了简化的电阻模型，并据此得到了纳米固体总电阻与纳米粒子电阻的关系。依据这一模型，我们对纳米固体电阻特性的尺寸效应、温度效应和压力效应及其与常规多晶材料的差别等进行了有效的物理解释。

简介：采用小波分析方法对康普顿γ射线天文台(CGRO)上的BATSE仪器观测到的γ暴光变曲线数据进行去噪处理,并提出更有效的脉冲识别算法,然后用对齐叠加方式分别计算长暴和短暴光变曲线的主脉冲的平均辐射曲线和归一化的平均脉冲辐射曲线。统计结果表明两类暴的平均辐射曲线有显著的差异性,而归一化的平均脉冲辐射曲线差异不大。这个结果意味着两类暴的暴源可能有本质的差异,但两类暴的辐射机制没有根本区别。这个结果进一步支持了把γ暴分为长暴和短暴两类暴的分类办法,同时解释了为什么γ暴的持续时间有非常显著的分类特征,但其它观测量在两类暴中没有体现出明显的分类特征的问题。

简介：所谓“超宽带（UWB)”，即相对其中心频率有高比例的带宽。1990年，由美国“国防先进技术研究局”召集有关科学家讨论后认为，任何波形，只要带宽大于中心频率的25％，就可认为是“超宽带”。超宽带使用脉宽很窄的基带脉冲，典型为纳秒量级，能量稀薄地扩散在整个使用的带宽里。

简介：火花离子源是一种强流单次脉冲真空型离子源，它具有结构紧凑、工作压强低、束流大和可以随时立即工作等优点。火花离子源的工作物质以固体形式存在于离子源电极当中，在未工作时处于高真空状态，当放电开始时，在脉冲高压作用下，离子源电极之间发生火花放电并形成等离子体，同时得到相应的金属离子或者所吸留的气体元素离子。