简介:目的:研究燃爆弹跳驱动器热-动力学模型,分析驱动器的输出性能,并通过试验验证驱动器热-动力学模型的正确性。创新点:1.建立了燃爆弹跳驱动器热-动力学模型,得到燃爆弹跳驱动器的相关输出参数随时间的变化规律;2.通过理论仿真与试验测试分析了驱动器的输出性能。方法:1.根据对燃爆弹跳机器人工作过程分析,推导出燃爆弹跳驱动器工作过程中的动力学模型,并对锁紧力与弹簧刚度参数进行测试;2.根据热-动力学模型推导出燃烧室内压力随时间变化的函数;3.通过试验测试驱动器驱动弹跳过程中压力和位移随时间的变化曲线,将测试结果与热-动力学模型仿真的结果进行比较。结论:1.建立了燃爆弹跳驱动器的热-动力学模型,得到了驱动器的输出性能参数;2.试验测试结果与仿真计算结果吻合,证明了驱动器热-动力学模型的正确性。
简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.